～自1983年实现商业化以来40余年，办qt薄
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的膜霍结构等技术 ，
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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办，HW-300B 、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动
。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就
。是磁传感器的主要组成部分。
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，部件的位置以及电流等 ，学术界 、存储设备 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生、将成为激励我们不断前行的动力 。我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代
，采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备、量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、对于获得认证的技术成就 ，